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石墨烯技术:类人脑突触让电子系统更加智能
罗纳尔多 2015-12-04
导语

近年来,随着特征尺寸的不断缩小,各种物理和技术上的制约使得微电子器件的发展遇到了瓶颈。类脑计算概念的提出,为微电子芯片的彻底革新提供了崭新的途径。

2015年11月4日,清华大学微电子所任天令教授课题组在纳米领域权威期刊《纳米快报》(NanoLetters)上在线发表了题为《可塑性可调的石墨烯动态突触》(“Graphene Dynamic Synapse with Modulatable Plasticity”)的研究论文,首次实现了基于二维材料的类突触器件,该工作利用了石墨烯独特的双极型输运特性,通过改变背栅电压来调控石墨烯的滞回曲线,从而首次实现了类突触器件的可塑性可调。微电子所博士毕业生田禾与硕士生米文天是文章的共同第一作者,任天令教授是论文的通讯作者。

图1在神经系统中,突触可塑性的表达强度是可变可调控的,这种动态的可塑性与生物体的复杂行为息息相关。通过改变背栅栅压,石墨烯类突触晶体管的电学特性也可以被调制,从而表现出不同类型、不同表达强度的突触可塑性。

近年来,随着特征尺寸的不断缩小,各种物理和技术上的制约使得微电子器件的发展遇到了瓶颈。类脑计算概念的提出,为微电子芯片的彻底革新提供了崭新的途径。人脑中有数以亿计的神经元,不同的神经元之间又由突触所连接,在这张庞大的神经网络中,突触扮演着最为基础和重要的角色,突触强度的可塑性是实现记忆和学习的基础。作为类脑芯片的基础,类突触器件近年来逐渐成为人们研究的焦点。生物体突触的可塑性是变化的,然而以往的类突触器件的可塑性均是静态、 不可调的,这极大制约了类脑系统更高程度智能的实现。

任天令教授课题组创新性的采用双层旋转石墨烯,结合氧化铝作为离子传输层实现了类突触器件,同时通过背栅作为神经调节器,来控制突触后输出电流信号的强度。在负的背栅电压下,可实现兴奋型的类突触行为,在正的背栅电压下,能够将突触行 为调制成抑制型,并且还能够模拟突触发育的全过程。这项工作首次实现了类突触器件的可塑性可调,为类脑芯片模仿人脑神经网络更高程度的智能提供了可能,在相关领域具有深远的意义,美国化学学会将会以《类人脑突触让电子系统更加智能》“Imitating synapses of the human brain could lead to smarter electronics”为题在其周报上(Weekly PressPac)发文亮点报道这项工作。


图 2石墨烯类突触器件的结构和测试结果,通过背栅电压的调制可调制类突触器件的可

近年来,任天令教授致力于石墨烯等二维电子器件的研究,尤其关注突破传统器件限制的新型器件,为新一代微纳电子器件技术奠定基础,在新型石墨烯基发光器件、存储器件和声学器件等方面已获得了多项创新成果,如光谱可调的石墨烯发光器件,以及存储窗口可调的石墨烯阻变存储器等。该研究成果得到了国家自然基金重点项目支持。


任天令教授简介:

清华大学微电子研究所,长江学者特聘教授,国家杰出青年基金获得者。Email:RenTL@tsinghua.edu.cn

1971年出生于山东省济南市,1997年博士毕业于清华大学现代应用物理系,2003年起为清华大学微电子所教授,2011年至2012年为美国Stanford大学电子工程系访问教授。

近年来承担国家自然科学重点基金、国家重大科技专项、科技部863计划、科技部973计划等多项重要科研项目。主要研究方向为新型微纳电子器件与集成系统技 术,包括二维电子器件、新型存储器、微纳传感器与系统、柔性微电子器件与系统等。在国内外学术期刊和会议发表论文300余篇,包括SCI期刊论文160余篇,国际微电子领域顶级学术会议IEDM论文10篇;获得国内外发明专利50余项。

担任IEEE电子器件学会理事、中国微米纳米技术学会理事、中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会常务理事、IEEE电子器件学会Distinguished Lecturer、IEDM技术委员会委员、Scientific Reports编委等重要学术任职。

研究方向: 

1.二维电子器件及其它新型纳电子器件

    (1)   基于石墨烯的阻变存储器;

    (2)   基于石墨烯的声学器件;

    (3)   基于二维材料(石墨烯、硫化钼、黑磷、拓扑绝缘体等)的集成器件;

    (4)   基于磁阻效应(GMR、TMR等)或自旋调控的新型器件

2. 新型传感器与集成微系统(MEMS)

        (1)微声学器件与系统;

        (2)用于无线通信的射频滤波器、微天线、微电感等;

        (3) 集成微传感器(压力、温度、加速度、红外传感器等);

        (4) 面向医疗、生化、环境应用的新型传感器与微系统

3. 新型半导体存储技术

        (1) 阻变存储器RRAM;

        (2) 铁电存储器FeRAM与FeFET

 4.微纳电子关键新技术

        (1) 柔性微纳电子技术;

        (2) 芯片能量控制关键新技术

(本文整理自清华官网http://www.tsinghua.edu.cn/publish/newthu/index.html

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作者 罗纳尔多

学生

北京理工大学

活跃作者
  • 爱因斯坦 科研工作者 北京航空航天大学 博士
  • 金陵 本科生 北京大学 本科
  • 梅西 本科生 北京工业大学 本科
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