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斯坦福大学宣布相变内存研究新突破:可比传统DRAM快千倍
金陵 2016-08-17
导语

全球研究者们对相变内存(PCM)领域投入了大量的时间和兴趣,而斯坦福大学刚刚实现了一个新的突破,相变内存可比传统动态随机存取器快千倍。

全球研究者们对相变内存(PCM)领域投入了大量的时间和兴趣,比如之前IBM发布“相变存储”突破性技术:比现有闪存快70倍,而斯坦福大学刚刚实现了一个新的突破。

相变是指在两种物理状态之间进行迁移——即低阻的晶态和高阻扛的非晶态。虽然它已经在当前的存储技术领域展现出了诸多的优势,但仍然不够完美。正如Extreme Tech所指,业内尚未解决的一大短板,就是延时。过去30年来,内存时钟速率已经极大地增加,但延时方面的改进却乏善可陈。

领导这项研究的斯坦福材料科学与工程系副教授Aaron Lindenberg,着重关注了相变内存(PCM)的相变转变速度有多快。更重要的是,他们能否更好地利用这一速度。而他们的发现,对PCM的未来发展尤为重要。

为PCM施加0.5THz的电脉冲(每次5皮秒 / 1皮秒=百亿分之一秒),就可以产生可测量的结晶纤维(理论上可用于存储数据),这一切发生于大量材料仍处于非晶态的时候。

当然,最重要的是——这些细丝是以微微秒的速度生成的。考虑到传统动态随机存取器(DRAM)的纳秒级运行速度,PCM能够比它快上千倍。

在投入实际使用之前,仍有许多难关需要克服。文章指出,当前主板上远未能部署THz级别的脉冲,因其信号无法在当前PCB那么薄的印刷铜线上很好地工作。

此外,多年来的情况表明,内存行业的价格太难以捉摸,而厂商多希望在一项新技术上长期受益,但这很大程度影响了新产品的普及。

文章链接:

Peter Zalden, et al, "Picosecond Electric-Field-Induced Threshold Switching in Phase-Change Materials," Phys. Rev. Lett. 117, 067601

新闻链接:

Stanford-led experiments point toward memory chips 1,000 times faster than today's

(本文文字参考自cnBeta.com)

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作者 金陵

本科生

北京大学

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  • 爱因斯坦 科研工作者 北京航空航天大学 博士
  • 梅西 本科生 北京工业大学 本科
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