全球研究者们对相变内存（PCM）领域投入了大量的时间和兴趣，比如之前IBM发布“相变存储”突破性技术：比现有闪存快70倍，而斯坦福大学刚刚实现了一个新的突破。

相变是指在两种物理状态之间进行迁移——即低阻的晶态和高阻扛的非晶态。虽然它已经在当前的存储技术领域展现出了诸多的优势，但仍然不够完美。正如Extreme Tech所指，业内尚未解决的一大短板，就是延时。过去30年来，内存时钟速率已经极大地增加，但延时方面的改进却乏善可陈。

领导这项研究的斯坦福材料科学与工程系副教授Aaron Lindenberg，着重关注了相变内存（PCM）的相变转变速度有多快。更重要的是，他们能否更好地利用这一速度。而他们的发现，对PCM的未来发展尤为重要。

为PCM施加0.5THz的电脉冲（每次5皮秒 / 1皮秒=百亿分之一秒），就可以产生可测量的结晶纤维（理论上可用于存储数据），这一切发生于大量材料仍处于非晶态的时候。

当然，最重要的是——这些细丝是以微微秒的速度生成的。考虑到传统动态随机存取器（DRAM）的纳秒级运行速度，PCM能够比它快上千倍。

在投入实际使用之前，仍有许多难关需要克服。文章指出，当前主板上远未能部署THz级别的脉冲，因其信号无法在当前PCB那么薄的印刷铜线上很好地工作。

此外，多年来的情况表明，内存行业的价格太难以捉摸，而厂商多希望在一项新技术上长期受益，但这很大程度影响了新产品的普及。

文章链接：

Peter Zalden, et al, "Picosecond Electric-Field-Induced Threshold Switching in Phase-Change Materials," Phys. Rev. Lett. 117, 067601

新闻链接：

Stanford-led experiments point toward memory chips 1,000 times faster than today's

（本文文字参考自cnBeta.com）

如若转载，请注明e科网。

如果你有好文章想发表or科研成果想展示推广，可以联系我们或免费注册拥有自己的主页