还再为PC和手机重新启动、加载应用的速度超级慢而抓狂嘛？IBM本周发布了一项突破性技术，有望大大提高信息访问速度。

IBM周二宣布了“相变存储”(phase change memory)技术的重要进步。相变存储技术的开发已有多年时间，而IBM认为，这项技术的成本已降至可接受的范围，从而可以进入商用阶段。据IBM研究员哈里斯·珀奇迪斯(Haris Pozidis)在周二的巴黎存储技术大会上透露相变存储技术将于2017年成功商用。

相变存储技术可以给互联网巨头公司如Facebook等带来很大帮助，因为这些公司需要迅速访问大量信息。

相变存储技术需要对芯片内特殊的微型玻璃材料进行电加热。材料中每个单位的降温方式可用于决定芯片中保存的数据。在逐步降温时，原子将会呈晶格式排列。在迅速降温时，原子排列将杂乱无章。晶格状态具有很好的导电性，而杂乱无章的状态导电性很差。判断这样差别将使计算机知道，每个单位中保存的数据是0还是1。

IBM已经对这项技术进行了改进，从而可以保存更多的数据位。2011年，IBM成功实现了在单个单位中保存两位数据。

本周二，珀奇迪斯宣布，单个相变存储单位已可以保存三位数据。在一块芯片中保存更多的数据意味着相变存储的技术成本下降，相对于传统存储技术更具竞争力。

目前，手机和PC使用两种技术去保存数据，分别为能耗较大的DRAM动态存储，以及存取速度较慢、成本较低的闪存存储。相变存储技术结合了DRAM和闪存的优点。DRAM的存取速度是相变存储的5到10倍，但相变存储的存取速度是闪存的约70倍。因此，搭载相变存储元件的手机应用加载速度将更快。IBM预计，相变存储技术的成本要低于DRAM，甚至可以降至与闪存同样的水平。

不过，使成本降低至闪存的水平并不容易。相关厂商仍在继续改进闪存技术。因此，第一代iPad中最大仅提供了64GB的闪存，而当前的iPad Pro最大已提供256GB。

新闻链接：

IBM scientists achieve storage memory breakthrough

欲知更多PCM详情，参见：

Phase Change Memory

如若转载，请注明e科网。

如果你有好文章想发表or科研成果想展示推广，可以联系我们或免费注册拥有自己的主页