1月8日上午 ，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行，南昌大学江风益团队的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获国家技术发明一等奖。

“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获奖团队成员包括江风益（南昌大学）、刘军林（南昌大学）、王立（南昌大学）、孙钱（晶能光电）、熊传兵（南昌大学）、王敏（中节能晶和照明）等六人。该奖项的获得，实现了江西省在“国家技术发明奖”这项大奖中一等奖“零”的突破，也是地方综合性高校的一个殊荣。

1996年，经过三年时间的技术跟踪，江风益决定带领团队转向自主核心技术的研发，在一个欠发达省份的地方高校中，拉开了从事GaN蓝光LED研究、自主创造光明“中国芯”的序幕。历经19年的科研攻关，在LED照明技术上取得突破性成果，成功研发出硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管，并在市场应用上取得明显经济效益和社会效益，走出了一条“硅基发光，中国创造”的新路线。

世界上第一支LED诞生于1962年，正式作为照明光源，是日本在1993年取得的突破，这项蓝宝石衬底GaN基蓝光LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年，美国成功研发碳化硅衬底GaN基蓝光LED技术，获得2003年美国总统技术发明奖。而南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。“中国芯”与日美技术形成全球三足鼎力之势，打破了日本蓝宝石衬底、美国碳化硅衬底长期垄断国际LED照明核心技术的局面，中国为之骄傲，世界为之震动。

在硅衬底上制备GaN基LED一直是业界梦寐以求的事情。然而由于硅和GaN这两种材料巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅衬底上制备高光效GaN基LED是不可能的。该项目经过三千多次实验，攻克了这一世界难题，发明了在材料生长和芯片制造过程中克服巨大张应力的方法、结构和工艺技术，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化，获授权发明专利68项，其中美国发明专利19项。由该项目成果创建了硅衬底LED芯片制造、器件封装和产品应用企业，推出了30多种产品，形成了硅衬底LED上中下游产业链，产品在国内外通用照明和特种照明中推广应用。

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